Samsung приступила к массовому производству чипов памяти V-NAND 5-го поколения

Впервые в отрасли Samsung внедрил интерфейс Toggle DDR 4.0. Благодаря этому обеспечивается скорость передачи данных на уровне 1,4 Гбит/с, что на 40% превышает возможности 64-слойных чипов предыдущего поколения.

Чипы памяти Samsung V-NAND пятого поколения имеют 90-слойную структуру, а их ёмкость составляет 256 Гбит. Каждая ячейка способна хранить 3 бита данных. Новинки отличаются повышенной энергоэффективностью благодаря снижению рабочего напряжения питания с 1,8 В (у чипов предыдущего поколения) до 1,2 В.Также для новых чипов улучшен показатель времени отклика при записи данных – до 500 мкс. Это на 30% лучше, чем у предшественников. Время отклика при чтении данных также снижено и теперь составляет 50 мкс. Вместе с тем, Samsung улучшила и производственный процесс изготовления чипов V-NAND пятого поколения, благодаря чему эффективность производства повысилась более чем на 30%.

Samsung намерена быстро наращивать объёмы производства чипов нового поколения. Эти устройства могут использоваться в широком перечне устройств, включая смартфоны, корпоративные серверы и суперкомпьютеры.